9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BAS20Q-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS20Q-7-F参考价格$0.42。Diodes Incorporated BAS20Q-7-F包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323。您可以下载BAS20Q-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS20LT3G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS20LT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3（to-236）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS20LT1是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-23-3（TO-236），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
BAS20HT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323，包括表面安装安装型，它们设计为与标准二极管型一起工作。SOD-323中使用的数据表注释中显示了供应商设备包，该产品提供速度特性，如小信号=，包装箱设计为在SC-76、SOD-323以及Digi-ReelR替代包装中工作，该器件也可以用作5pF@0V，1MHz电容Vr F，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该器件提供50ns反向恢复时间trr，该器件具有200V的电压DC反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
