9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的ES3DPX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ES3DPX参考价格为1.75美元。Nexperia USA Inc.ES3DPX包装/规格：二极管GEN PURP 200V 3A CFP5。您可以下载ES3DPX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES3DHE3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，正向电压Vf Max If为900mV@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为50 ns。
带有用户指南的ES3DHE3_A/H，包括900mV@3A电压正向Vf Max，如果设计用于200V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车AEC-Q101，以及30ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES3DHE3/9AT是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括45pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为900mV@3A。
