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1N5396-E3/54是DIODE GEN PURP 500V 1.5A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011711盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@500V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.5A，电压直流反向Vr Max为500V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
1N5395-T是DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15，包括1.1V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-15的供应商设备包，该DO-15提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@400V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为1.5A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
1N5396是DIODE GEN PURP 500V 1.5A DO15，包括25pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@500V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-15供应商设备包，电压DC反向Vr Max为500V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.5A。
