9icnet为您提供由WeEn Semiconductors设计和生产的BYV29B-600PJ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYV29B-600PJ参考价格为0.402美元。WeEn半导体BYV29B-600PJ封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK。您可以下载BYV29B-600PJ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYV29B-400HE3/81是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，正向电压Vf Max If为1.25V@8A，直流反向电压Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-40°C，20 A时Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为50 ns。
BYV29B-500118是DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK，包括1.25V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在500V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为60ns，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@500V，电流平均整流Io为9A。
BYV29B-500，带有PH制造的电路图。BYV29B-500采用TO-263-2封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
