9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DZ3X056D0L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZ3X056D0L参考价格为0.165144美元。松下电子元件DZ3X056D0L包装/规格：二极管ZENER阵列5.6V MINI3。您可以下载DZ3X056D0L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZ3S082D0L是DIODE ZENER ARRAY 8.2V SSMINI3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供0.85mm等宽度特性，包装箱设计用于SC-89、SOT-490以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SS-Mini3-F3-B供应商设备包。此外，该配置为1对公共阳极，该设备最大功率为150mW，该设备的电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为150mW。其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为8.2V，电压容差为5%，电压温度系数为4.8mV/C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为100nA。
DZ3S100D0L是二极管齐纳阵列10V SSMINI3，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在0.85 mm宽的情况下工作，数据表中显示了用于10 V的Vz齐纳电压，提供10V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为工作在5%，以及6.5 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SS-Mini3-F3-B供应商器件封装，该器件最大功率为150mW，Pd功耗为150mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-89、SOT-490，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为30 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为50nA@7V，配置为1对公共阳极。
DZ3S120D0L是DIODE ZENER ARRAY 12V SSMINI3，包括1对公共阳极配置，设计用于在50nA@9V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计用于50nA，最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-89、SOT-490封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为150mW，最大功率为150mW；供应商器件封装为SS-Mini3-F3-B，10mA时Vf正向电压为1 V，10mA下Vf最大值为1V，电压温度系数为8.5 mV/C，电压容限为5%，电压齐纳标称Vz为12V，Vz齐纳电压为12V，宽度为0.85mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
DZ3X056D0L，带EDA/CAD型号，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，设计用于带卷（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供SMD/SMT等安装类型功能，供应商设备封装设计用于Mini3-G3-B和DZ3系列，该器件也可以用作500nA@2.5V电流反向泄漏Vr。此外，Ir反向电流为500 nA，器件提供5.88 V Vz齐纳电压，器件具有5.6V电压齐纳标称Vz，且Zz齐纳阻抗为40欧姆，阻抗最大值Zzt为40欧姆、功率最大值为200mW，Pd功耗为200mW、电压温度系数为2 mV/C，电压正向Vf Max If为1V@10mA，其工作温度范围为150°C，Vf正向电压为1 V，配置为1对公共阳极，公差为±5%，最大工作温度范围+150 C。
