特色
- FR-4或FR-5板上的225mW额定功率
- 小包装尺寸，适用于高密度应用
- 可用的精密公差
- 每个人体模型的ESD等级为3级（>16kV）
- AEC-Q101合格，PPAP能力
- 无铅装置
BZX84C16LT1G
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 16伏 最大功率: 225毫瓦 公差: ±6% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.09198 | 0.09198 |
| 100+ | 0.08256 | 8.25690 |
| 1000+ | 0.07170 | 71.70500 |
- 库存: 137
- 单价: ¥0.09199
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.09
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 标称齐纳电压 (Vz) 16伏
- 最大功率 225毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 公差 ±6%
- 最大阻抗值 (Zzt) 40欧姆
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 50 nA @ 11.2 V
BZX84C16LT1G 产品详情
BZX84CxxxLT1G系列表面安装齐纳二极管设计用于以最小的空间要求提供电压调节。它们非常适合于手机、手持便携式电脑和高密度PC板等应用。
BZX84C16LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX84C16LT1G所属分类：单齐纳二极管，BZX84C16LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX84C16LT1G价格参考￥0.091985，你可以下载 BZX84C16LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX84C16LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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