特色
- FR-4或FR-5板上的225mW额定功率
- 小包装尺寸，适用于高密度应用
- 每个人体模型的ESD等级为3级（>16kV）
- AEC-Q101合格，PPAP能力
- 无铅、无卤素/BFR
MMBZ5257BLT1G
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 33伏 最大功率: 225毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.15210 | 0.15210 |
| 100+ | 0.14123 | 14.12370 |
| 1000+ | 0.12964 | 129.64800 |
- 库存: 2339
- 单价: ¥0.15210
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.15
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 公差 ±5%
- 最大功率 225毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 标称齐纳电压 (Vz) 33伏
- 最大阻抗值 (Zzt) 58 Ohms
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 100nA@25V
MMBZ5257BLT1G 产品详情
MMBZ52xxBLT1G系列表面安装齐纳二极管设计用于以最小的空间要求提供电压调节。它们非常适合于手机、手持便携式电脑和高密度PC板等应用。
MMBZ5257BLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,618.42601 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14486 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28972 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14486 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBZ5257BLT1G所属分类：单齐纳二极管，MMBZ5257BLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBZ5257BLT1G价格参考￥0.152101，你可以下载 MMBZ5257BLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBZ5257BLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
