9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C4V7-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C4V7-TR参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C4V7-TR封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35。您可以下载BZX55C4V7-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX55C4V7-TAP是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长的安装方式，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为60欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7V，电压容差为6%，电压温度系数为-0.015%/K，Zz齐纳阻抗为60欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX55C4V7_T50R带用户指南，包括4.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.3V@100mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有60欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为500nA@1V。
BZX55C4V7_T50A，带电路图，包括500nA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于60欧姆阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±6%，该设备具有1.3V@100mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为4.7V。
