9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZG03C33-M3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZG03C33-M3-08参考价格为0.53000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZG03C33-M3-08封装/规格:DIODE ZENER 33V 1.25W DO214AC。您可以下载BZG03C33-M3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZG03C30TR是DIODE ZENER 30V 1.25W DO214AC,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于BZG03C30-TR零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.00739盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为2.2 mm,长度为4.5 mm,设备也可以用作2.8 mm宽。此外,封装外壳为DO-214AC,SMA,其工作温度范围为150°C,设备具有安装型表面安装,供应商设备封装为DO-214A C,配置为单体,最大功率为1.25W,电压齐纳标称Vz为30V,阻抗最大Zzt为8欧姆,电流反向泄漏Vr为1μa@22V,电压正向Vf Max If为1.2V@500mA,Pd功耗为3 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为30 V,电压容差为5%,电压温度系数为0.085%/K,Zz齐纳阻抗为15欧姆,Ir反向电流为1 uA。
BZG03C30TR3是DIODE ZENER 30V 1.25W DO214AC,包括15欧姆Zz齐纳阻抗,其设计工作宽度为2.8 mm,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于30 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如30V,电压容差设计工作在5%,以及0.085%/K电压温度系数,该设备也可以用作1.2V@500mA正向电压Vf Max If。此外,单位重量为0.003739盎司,该设备采用DO-214AC供应商设备包,该设备最大功率为1.25W,Pd功耗为3 W,包装为胶带和卷轴(TR),包装箱为DO-214AC,SMA,其工作温度范围为150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,长度为4.5 mm,Ir反向电流为1 uA,阻抗最大值Zzt为8欧姆,高度为2.2 mm,电流反向泄漏Vr为1μA@22V,配置为单一。
BZG03C30,电路图由SUMMIT制造。BZG03C30采用DO-214AA(SMB)封装,是Diodes-Zener-Single的一部分。