9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C2V7-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C2V7-TR参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C2V7-TR封装/规格：DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35。您可以下载BZX55C2V7-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55C2V7-TAP是DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为2.7V，阻抗最大Zzt为85欧姆，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.7V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.075%/K，Zz齐纳阻抗为85欧姆，Ir反向电流为10uA。
BZX55C2V7_T50R带用户指南，包括2.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.3V@100mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有85欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为10μa@1V。
BZX55C2V7-TAP 64，带有VISHAY制造的电路图。BZX55C2V7-TAP 64采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
