9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C3V9-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C3V9-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C3V9-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C3V9-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85C3V9是DIODE ZENER 3.9V 1W DO41，包括散装包装，它们设计用于0.008642盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供2.72 mm等高度特征，长度设计为5.21 mm，以及2.72 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有供应商设备包的DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为3.9V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@1V，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3.9 V，电压容差为5%，齐纳电流为60 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为5 uA。
BZX85C3V9_T50R带用户指南，包括3.9V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-41，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有15欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为5μa@1V。
BZX85C3V9_T50A，带电路图，包括5μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3.9V。
