9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C4V7-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C4V7-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C4V7-TAP封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C4V7-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85C4V7_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，提供安装型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于DO-41，以及±6%的公差，该设备也可用于1W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为4.7V，该器件提供13欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有3μa@1.5V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA。
BZX85C4V7_T50A带用户指南，包括4.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供供应商设备包功能，如DO-41，功率最大设计为1W，以及磁带盒（TB）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为13欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@1.5V。
BZX85C4V7-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于3 uA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒封装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935盎司，器件的电压容差为6.3%，Vz齐纳电压为4.7V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为3欧姆。
