9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55B6V2-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55B6V2-TR参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55B6V2-TR封装/规格:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35。您可以下载BZX55B6V2-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55B6V2-TAP是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计为与磁带盒(TB)替代包装一起使用,单位重量如数据表注释所示,用于0.004833盎司,具有通孔、高度设计为1.7 mm,以及3.9 mm长度的安装方式,该装置也可以用作1.7mm宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为-65°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±2%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为6.2V,阻抗最大Zzt为10欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@2V,电压正向Vf Max If为1.5V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为6.2 V,电压容差为2%,电压温度系数为0.045%/K,Zz齐纳阻抗为10欧姆,Ir反向电流为100nA。
BZX55B6V2是齐纳二极管齐纳500mW 6v2,包括0.004586盎司单位重量,它们设计用于卷筒包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-35-2,提供轴向等安装方式,配置设计用于单体。
BZX55B6V2 T/B CNCT,带有ST制造的电路图。BZX55B6 V2 T/B CN CT采用DO-35封装,是IC芯片的一部分。