9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C5V1-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C5V1-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C5V1-TR封装/规格：DIODE ZENER 5.1V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C5V1-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85C56-TR是DIODE ZENER 56V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.3W，电压齐纳标称Vz为56V，阻抗最大Zzt为120欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@43V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为56 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.078%/C，齐纳电流为19 mA，Zz齐纳阻抗为120欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C5V1_T50A带有用户指南，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于45 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供Vz齐纳电压特性，如5.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于5.1V，以及5%的电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.008642 oz，装置的公差为±6%，装置具有DO-41供应商装置包装，最大功率为1W，Pd功耗为1W。包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为5.21 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为10欧姆，高度为2.72 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@2V，配置为单一。
BZX85C5V1是DIODE ZENER 5.1V 1W，包括单一配置，它们设计为在2μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如60 Ohm，Ir反向电流设计为在1μa下工作，长度为5.21 mm，其最大工作温度范围为+200 C，它的最低工作温度范围为-65℃，该设备采用通孔安装方式，其工作温度范围在-65℃~150℃之间，包装箱为DO-41，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，系列为AEC-Q101汽车系列，公差为±5%，单位重量为0.008642盎司，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为5.1V，Vz齐纳电压为5.1V、宽度为2.72mm，齐纳电流为45mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆。
