9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C4V3-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C4V3-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C4V3-TAP封装/规格：DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35。您可以下载BZX55C4V3-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZX55C4V3-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX55C4V3_T50R，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）包装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，具有通孔等安装类型特征，供应商设备包装设计用于DO-35，以及±7%的公差，设备也可用于500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为4.3V，该器件提供75欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有1μa@1V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf最大If为1.3V@100mA。
BZX55C4V3_T50A带有用户指南，包括4.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.3V@100mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带盒（TB）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有75欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为1μa@1V。
BZX55-C4V3，带有NXP制造的电路图。BZX55-C4V3采用LL34封装，是二极管-齐纳-单体的一部分。
