9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C27-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C27-TR参考价格0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C27-TR封装/规格：DIODE ZENER 27V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C27-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C27-TAP是DIODE ZENER 27V 1.3W DO41，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于0.010935盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.6毫米的高度特征，长度设计为4.1毫米，以及2.6毫米的宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-41供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±7%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为27V，阻抗最大值Zzt为30 Ohm，电流反向泄漏Vr为500μa@220V，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为27 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为41 mA，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C27_T50R带用户指南，包括27V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供供应商设备包功能，如DO-41，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为30欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@19V。
BZX85C27-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于500 nA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒包装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935 oz，器件的电压容差为7%，Vz齐纳电压为27V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为500mOhms。
