9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84B3V3-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84B3V3-E3-08参考价格为0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84B3V3-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84B3V3-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX84B3V3-7-F是DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23，包括BZX84B3 V系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1 mm高度，设备也可以用作2.9 mm长度。此外，宽度为1.3 mm，该设备采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒提供，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为SOT-23，配置为单一，公差为±2%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为3.3V，阻抗最大Zzt为95欧姆，电流反向泄漏Vr为5μA@1V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.9 V，Vz齐纳电压为3.3 V，电压容差为2%，电压温度系数为-3.5mV/C，Zz齐纳阻抗为95欧姆，Ir反向电流为5uA。
BZX84-B3V3215是DIODE ZENER 3.3V 250MW SOT23，包括3.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±2%，提供供应商设备包功能，如SOT-23（to-236AB），最大功率设计为250MW，以及Digi-ReelR替代包装，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件的阻抗最大值为95欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@1V。
BZX84B3V3-7-99-F，电路图由DIODES制造。BZX84B3V3-7-99-F采用S封装，是IC芯片的一部分。
