9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C12-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C12-TR参考价格0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C12-TR封装/规格：DIODE ZENER 12V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C12-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85C11-TAP是DIODE ZENER 11V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大值Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.0625%/C，齐纳电流为97 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C11-TR是DIODE ZENER 11V 1.3W DO41，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于97 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如11 V，电压齐纳标称Vz设计用于11 V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.062%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为8 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V，配置为单一。
BZX85C12是DIODE ZENER 12V 1W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@8.4V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如9欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，以及5.21 mm长度，它的最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包为DO-41，公差为±5%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为12V，Vz齐纳电压为12V，宽度为2.72mm，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为9欧姆。
BZX85C11-T是1.3W的齐纳二极管，包括通孔安装型，它们设计用于单配置，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供DO-41等封装盒功能，Ir反向电流设计用于500 nA，以及500 mOhms Zz齐纳阻抗，该器件也可用于5.51 mm长度。此外，电压容差为5.4%，该器件的高度为2.72 mm，宽度为2.72毫米，Vz齐纳电压为11 V，Pd功耗为1.3 W，单位重量为0.010935盎司。
