9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C3V0-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C3V0-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C3V0-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3V 500MW DO35。您可以下载BZX55C3V0-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55C3V0_T50R，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）包装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，具有通孔等安装类型特征，供应商设备包装设计用于DO-35，以及±7%的公差，设备也可用于500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为3V，该器件提供85欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有4μa@1V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@100mA。
BZX55C3V0_T50A，带有用户指南，包括3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.3V@100mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±7%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带盒（TB）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有85欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为4μa@1V。
BZX55C3V0是DIODE ZENER 3V 500MW DO35，包括4μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于85欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±7%，该设备具有1.3V@100mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3V。
