9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5225B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5225B-TAP价格参考0.25000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5225B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3V 500MW DO35。您可以下载1N5225B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5225B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供3V电压齐纳标称Vz，该器件具有1600欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为50μa@1V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N5225BTA是DIODE ZENER 3V 500MW DO35，包括3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH，DO-35，轴向封装外壳，其工作温度范围为200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为29欧姆，最大Zzt，电流反向泄漏Vr为50μa@950mV。
1N5225BT是DIODE ZENER 3V 500MW DO35，包括50μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于29欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C ~ 200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3V。
