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BZX79B51是齐纳二极管51伏特500mW 2%，包括卷筒包装，设计用于R0零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004586盎司，提供轴向安装方式，高度设计为2毫米，长度3.9毫米，设备也可以用作2毫米宽。此外，包装箱为DO-35-2，该设备为单配置，该设备具有500 mW的Pd功耗，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为2%，Zz齐纳阻抗为180欧姆，Ir反向电流为50 nA。
BZX79-B51113是DIODE ZENER 51V 400MW ALF2，包括51V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±2%，提供供应商设备包功能，如ALF2，功率最大值设计为400MW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有180欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为50nA@35.7V。
BZX79-B51，带有NXP制造的电路图。BZX79-B51采用DO-35封装，是Diodes-Zener-Single的一部分。
