小信号齐纳二极管
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
低噪音
AEC-Q101合格
BZT55C5V1-GS08
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-80 QuadroMELF 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.14630 | 0.14630 |
| 100+ | 0.12457 | 12.45780 |
| 1000+ | 0.11950 | 119.50800 |
- 库存: 7285
- 单价: ¥0.14631
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.15
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度
- 公差 ±5%
- 最大功率 500 mW
- 标称齐纳电压 (Vz) 5.1 V
- 最大阻抗值 (Zzt) 60 Ohms
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.5 V@200 mA
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 100nA@1V
- 包装/外壳 SOD-80变体
- 供应商设备包装 SOD-80 QuadroMELF
BZT55C5V1-GS08 产品详情
齐纳二极管500mW，BZT55系列，Vishay半导体
BZT55C5V1-GS08 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C6V8115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZT52H-C6V8115 | ¥0.10357 |
| BZT52H-C5V1,115 | 安世 (Nexperia) | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F | ¥0.12313 |
 | BZT52H-C10,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C27,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-B3V9,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C62,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C15,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 15V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C13,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C56,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 56V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C2V7,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
BZT55C5V1-GS08所属分类：单齐纳二极管，BZT55C5V1-GS08 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZT55C5V1-GS08价格参考￥0.146307，你可以下载 BZT55C5V1-GS08中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZT55C5V1-GS08规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
