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mm3z11vb是DIODE ZENER 11V 200MW SOD323F，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.000974 oz单位重量的操作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备提供高度功能，例如1 mm，长度设计为1.7 mm，以及1.3 mm宽度，该设备也可以用作SC-90、SOD-323F包装盒，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有供应商设备包的SOD-323F，配置为单一，公差为±2%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大Zzt为18欧姆，电流反向泄漏Vr为900nA@8V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为2%，Zz齐纳阻抗为18欧姆，Ir反向电流为90 nA。
MM3Z11VC是DIODE ZENER 11V 200MW SOD323F，包括18欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.3mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于11V，提供电压齐纳标称Vz特性，如11V，电压容差设计工作在5%，以及1V@10mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.000974盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用SOD-323F供应商器件封装，该器件最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90，SOD-323F，工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1.7 mm，Ir反向电流为90 nA，阻抗最大Zzt为18 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为900nA@8V，配置为单一。
MM3Z11VST带有ST制造的电路图。MM3Z111VST采用SOD-323封装，是二极管-齐纳-单体的一部分。
