9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85B12-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85B12-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85B12-TAP封装/规格：DIODE ZENER 12V 1.3W DO41。您可以下载BZX85B12-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如BZX85B12-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX85B10-TR是DIODE ZENER 10V 1.3W DO41，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大值Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.06%/K，齐纳电流为105 mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85B11-TR是DIODE ZENER 11V 1.3W DO41，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于97 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如11 V，电压齐纳标称Vz设计用于11 V，以及2%电压容差，该器件也可以用作0.062%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为8 Ohm，高度为2.6 mm，反向泄漏电流Vr为500nA@8.2V，配置为单一。
BZX85B11-TAP是DIODE ZENER 11V 1.3W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@8.2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如8欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为4.1 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~175℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为1.3 W，最大功率为1.3W，系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为DO-41，公差为±2%，单位重量为0.010935 oz，电压温度系数为0.062%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为11V，Vz齐纳电压为11V、宽度为2.6 mm，齐纳电流为97mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆。
