9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55B10-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55B10-TR参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55B10-TR封装/规格：DIODE ZENER 10V 500MW DO35。您可以下载BZX55B10-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55B10-TAP是DIODE ZENER 10V 500MW DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004833盎司，提供安装方式功能，如通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@7.5V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为10V，电压容差为2%，电压温度系数为0.065%/K，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55A9V1-TAP带有用户指南，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±1%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500mW最大功率，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@6.8V。
BZX55B10是齐纳二极管齐纳500mW 10v，包括单配置，它们设计为轴向安装型，包装箱如数据表注释所示，用于DO-35-2，提供卷轴等包装功能，单位重量设计为0.004586盎司。
