9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55B3V9-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55B3V9-TAP参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55B3V9-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35。您可以下载BZX55B3V9-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX55B3V6-TR是DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004833盎司，提供安装类型的功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，长度3.9 mm，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为3.6V，阻抗最大值Zzt为90欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@1V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3.6V，电压容差为2%，电压温度系数为-0.065%/K，Zz齐纳阻抗为90欧姆，Ir反向电流为2 uA。
BZX55B3V9是齐纳二极管齐纳500mW 3v9，包括0.004586盎司的单位重量，它们设计用于卷筒包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-35-2，提供轴向等安装方式功能，配置设计用于单个。
BZX55B3V9 T/B，带有ST制造的电路图。BZX55B3 V9 T/B采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
