9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4739A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4739A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4739A-TR封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41。您可以下载1N4739A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4739ATR是DIODE ZENER 9.1V 1W DO41，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于1N4739ATR_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008642盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为2.72 mm，长度5.21 mm，该装置也可以用作2.72mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大值Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@7V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，齐纳电流为28 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为10 uA。
1N4739A-TP是DIODE ZENER 9.1V 1W DO41G，包括5欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于100 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.8 mm，提供Vz齐纳电压特性，如9.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于9.1V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，200mA电压下的Vf正向电压为1.2V，该设备的容差为±5%，该设备具有DO-41G供应商设备包，系列为1N473，功率最大值为1W，Pd功耗为1W；包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，它的工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为4.5 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为5欧姆，高度为2.8 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@7V，配置为单一。
1N4739A-TAP是DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41，包括单一配置，它们设计为在10μa@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如5欧姆，Ir反向电流设计为在10uA下工作，长度为4.1 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围175°C，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为1.3W，功率最大值为1.3W；供应商设备封装为DO-41，公差为±5%；单位重量为0.010935 oz；正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%；电压齐纳标称Vz为9.1V；Vz齐纳电压为9.1V，宽度为2.6mm；齐纳电流为100mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆。
