齐纳电压公差为2%（BZX84B）和约5%（BZX84C）
表面安装外壳：SOT-23
特色
•硅平面功率齐纳二极管
•齐纳电压根据国际E 24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%。将“C”替换为“B”，公差为±2%。其他电压公差和其他齐纳电压可根据要求提供。
•这些二极管也可用于其他外壳类型和其他配置，包括：型号为BZT52系列的SOD-123外壳，型号为AZ23系列的SOT-23外壳中的双齐纳二极管公共阳极配置，以及型号为DZ23系列的SOT-23外壳的双齐纳二极管公共阴极配置。
BZX84B15LT1G
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 15伏 最大功率: 225毫瓦 公差: ±2% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.66586 | 1.66586 |
| 10+ | 1.49203 | 14.92037 |
| 100+ | 0.81265 | 81.26530 |
| 500+ | 0.49990 | 249.95250 |
| 1000+ | 0.34085 | 340.85100 |
| 3000+ | 0.28971 | 869.14800 |
| 6000+ | 0.26132 | 1567.94400 |
| 15000+ | 0.22728 | 3409.23000 |
| 30000+ | 0.20453 | 6136.17000 |
| 75000+ | 0.18759 | 14069.32500 |
- 库存: 7101
- 单价: ¥1.66587
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.67
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大阻抗值 (Zzt) 30欧姆
- 标称齐纳电压 (Vz) 15伏
- 最大功率 225毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 公差 ±2%
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 50 nA @ 10.5 V
- 种类 -
BZX84B15LT1G 产品详情
齐纳二极管225mW，BZX84BxxxLT，BZX84CxxxLT系列，ON半导体
BZX84B15LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX84B15LT1G所属分类：单齐纳二极管，BZX84B15LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX84B15LT1G价格参考￥1.665867，你可以下载 BZX84B15LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX84B15LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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