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RB521S-30TE61是二极管肖特基30V 200MA EMD2,包括RB521S-30系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.000035盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SC-79、SOD-523包装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在EMD2供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为30μa@10V,电压正向Vf Max If为500mV@200mA,电压直流反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA,其工作温度结范围为125°C(最大),最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为0.5 V,Ir反向电流为30 uA,If正向电流为0.2 A,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为1 A。
RB521S30T1G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在500mV@200MA电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表备注中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max,它提供了0.5V的正向电压特性,单位重量设计为0.000342盎司,以及Si技术,该设备也可以用作SOD-523F供应商设备包。此外,速度为小信号=,该器件采用肖特基二极管产品,该器件具有Digi-ReelR交替封装,封装外壳为SC-79、SOD-523F,其工作温度结范围为-55°C~125°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最低工作温度范围为-55C,它的最大工作温度范围为+125 C,Ir反向电流为10 V时的30 uA,If正向电流为0.2 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为30μA@10V,电流平均整流Io为200mA,配置为单一。
RB521S-30-TP是二极管肖特基30V 200MA SOD523,包括200MA电流平均整流Io,设计用于在30μa@10V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表说明所示,用于肖特基,提供Ifsm正向浪涌电流功能,如1A,安装类型设计用于表面安装,以及SMD/SMT安装类型,其工作温度结范围为125°C(最大值)。此外,包装箱为SC-79、SOD-523,设备采用Digi-ReelR替代包装包装,设备具有肖特基二极管产品,系列为RB521S,速度为小信号=,供应商设备包装为SOD-523,技术为Si,单位重量为0.000342盎司,电压直流反向Vr最大值为30V,电压正向Vf Max If为500mV@200mA,Vrm重复反向电压为30V。
RB521S30T5G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计为与表面安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SOD-523的供应商设备包,其提供了小信号=等速度特性,二极管类型设计为在肖特基工作,该器件也可作为RB521系列使用,其工作温度结范围为-55°C~125°C,该器件提供500mV@200mA正向电压Vf Max If,该器件具有30μa@10V反向电流泄漏Vr,电压DC反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA(DC)。