9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的1N4002GHR0G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4002GHR0G参考价格为0.248美元。台湾半导体公司1N4002GHR0G封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL。您可以下载1N4002GHR0G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4002-G是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-41等供应商设备包功能，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
1N4002GP是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io）。包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及DO-204AL、DO-41中工作，轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4002GL-T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-41，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
1N4002G-B是整流器Vr/100V Io/1A BULK，包括通孔安装型，它们设计用于标准恢复整流器产品，配置如数据表注释所示，用于单体，提供DO-41等封装箱功能，封装设计用于散装，以及5 uA Ir反向电流，该器件也可以用作30A最大浪涌电流。此外，Vr反向电压为100 V，设备提供1.1 V Vf正向电压，设备具有1 a的If正向电流，单位重量为0.010935 oz，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
