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BZX84C3V0T-7-F是DIODE ZENER 3V 150MW SOT523,包括BZX84C3系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000071盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为0.75 mm,长度为1.6 mm,设备也可以用作0.8 mm宽。此外,包装箱为SOT-523,其工作温度范围为-65°C~150°C,装置为安装型表面安装,供应商装置包装为SOT-529,配置为单一,公差为±7%,最大功率为150mW,电压齐纳标称Vz为3V,阻抗最大值Zzt为95欧姆,电流反向泄漏Vr为20μa@1V,正向电压Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-1.75 mV/C,Zz齐纳阻抗为95欧姆,Ir反向电流为20 uA。
BZX84C3V0-TP带用户指南,包括3V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±7%,提供供应商设备包功能,如SOT-23,功率最大值设计为350mW,以及磁带和卷轴(TR)封装,该设备也可以用作to-236-3、SC-59、,SOT-23-3封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装安装型,该设备的阻抗最大值为95欧姆Zzt,电流反向泄漏Vr为10μa@1V。
BZX84C3V0-T1是齐纳二极管3.0V,包括单配置,它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作,数据表说明中显示了SOT-23中使用的封装盒,该SOT-23提供了卷盘、Pd功耗等封装功能。该器件设计为300 mW,以及0.007090盎司的单位重量,该器件也可以用作3 V Vz齐纳电压。此外,齐纳电流为10 mA。