高达830mW的通用齐纳二极管
齐纳电压范围的精密公差
表面安装外壳：SOD-123F
BZT52HC12WF-7
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 375毫瓦 公差: ±5.42% 供应商设备包装: SOD-123F 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.02801 | 2.02801 |
| 10+ | 1.63689 | 16.36895 |
| 100+ | 0.86769 | 86.76990 |
| 500+ | 0.57059 | 285.29800 |
| 1000+ | 0.38807 | 388.07500 |
| 3000+ | 0.34997 | 1049.93100 |
| 6000+ | 0.30434 | 1826.08200 |
| 15000+ | 0.25871 | 3880.74000 |
| 30000+ | 0.24350 | 7305.18000 |
| 75000+ | 0.23104 | 17328.67500 |
- 库存: 31477
- 单价: ¥2.02801
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.03
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 标称齐纳电压 (Vz) 12伏
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 100nA@8V
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
- 公差 ±5.42%
- 最大功率 375毫瓦
- 包装/外壳 钠-123F
- 供应商设备包装 SOD-123F
BZT52HC12WF-7 产品详情
齐纳二极管830mW，BZT52H系列，Nexperia
BZT52HC12WF-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C6V8115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZT52H-C6V8115 | ¥0.10357 |
| BZT52H-C5V1,115 | 安世 (Nexperia) | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F | ¥0.12313 |
 | BZT52H-C10,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C27,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-B3V9,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C62,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C15,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 15V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C13,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C56,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 56V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C2V7,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
BZT52HC12WF-7所属分类：单齐纳二极管，BZT52HC12WF-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZT52HC12WF-7价格参考￥2.028012，你可以下载 BZT52HC12WF-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZT52HC12WF-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
