9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85B9V1-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85B9V1-TAP参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85B9V1-TAP封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41。您可以下载BZX85B9V1-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85B8V2-TR是DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大值Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@6.2V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为8.2 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.05%/C，齐纳电流为130 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85B91-TR是DIODE ZENER 91V 1.3W DO41，包括250欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如91 V，电压齐纳标称Vz设计用于91V，以及2%电压容差，该装置也可用作0.075%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935 oz，装置的公差为±2%，装置具有DO-41供应商装置包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3 W，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为250 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@68V，配置为单一。
BZX85B91-TAP是DIODE ZENER，包括单一配置，它们设计为在500nA@68V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如250欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为4.1 mm，最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围175℃，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为1.3 W，最大功率为1.3W，系列为汽车，AEC-Q101，供应商设备包为DO-41，公差为±2%，单位重量为0.010935盎司，电压温度系数为0.075%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为91V，Vz齐纳电压为91V、宽度为2.6mm，齐纳电流为10mA，Zz齐纳阻抗为250欧姆。
