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MMSZ5252B-7-F是DIODE ZENER 24V 500MW SOD123,包括MMSZ525系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000353盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为1.35 mm,长度为2.85 mm,设备也可以用作1.7 mm宽。此外,包装箱为SOD-123,其工作温度范围为-65°C~150°C,设备为表面安装型,供应商设备包装为SOD-13,配置为单一,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为24V,阻抗最大值Zzt为33欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@18V,正向电压Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为24 V,电压容差为5%,齐纳电流为5.2 mA,Zz齐纳阻抗为33欧姆,Ir反向电流为100 nA。
MMSZ5252B-E3-08,带有用户指南,包括33欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于24 V Vz齐纳电压,数据表注释中显示了用于24V的电压齐纳标称Vz,提供5%的电压容差特性,电压温度系数设计用于0.087%/C,以及0.000363盎司的单位重量,该装置也可用作±5%公差。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备以MMSZ52xx系列提供,该设备具有产品的小信号齐纳二极管,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为33 Ohm,电流反向泄漏Vr为100nA@18V,配置为单一。
MMSZ5252B-E3-18带电路图,包括单组态,设计用于在100nA@18V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于33欧姆,提供Ir反向电流功能,如100nA,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,设备具有SOD-123封装盒,封装为胶带和卷轴(TR),Pd功耗为500mW,最大功率为500mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为汽车、AEC-Q101,供应商设备封装为SOD-123,公差为±5%,单位重量为10300mg,电压温度系数为0.087%/C,电压容差为5%,电压齐纳标称Vz为24V,Vz齐纳电压为24V,Zz齐纳阻抗为33欧姆。
MMSZ5252B-7是DIODE ZENER 24V 500MW SOD123,包括表面安装型,它们设计用于SOD-123包装箱,供应商设备包如SOD-123中使用的数据表注释所示,提供切割胶带(CT)、正向电压Vf Max等包装功能。如果设计用于900mV@10mA,其工作温度范围为-65°C ~ 150°C,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,阻抗最大Zzt为33欧姆,该设备提供24V电压齐纳标称Vz,该设备具有100nA@18V电流反向泄漏Vr,公差为±5%。