9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4751A-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4751A-TAP参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4751A-TAP封装/规格：DIODE ZENER 30V 1.3W DO41。您可以下载1N4751A-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4751APE3/TR8，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包装设计用于DO-20 4AL（DO-41），以及±5%公差，该器件还可以用作1W最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为30V，该器件提供40欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有5μa@22.8V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
1N4751A-T是DIODE ZENER 1.3W DO41，包括30V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-41，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及1.3W最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为1000欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@22.8V。
1N4751ATA是DIODE ZENER 30V 1W DO41，包括5μA@22.8V电流反向泄漏Vr，设计用于40欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为30V。
