9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4729A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4729A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4729A-TR封装/规格：DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41。您可以下载1N4729A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4729A-TP是DIODE ZENER 3.6V 1W DO41G，包括1N472系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.8 mm的高度特征，长度设计为4.5 mm，以及2.8 mm的宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-41G供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为3.6V，阻抗最大值Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr为100μa@1V，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，Pd功耗为1W，其最大工作温度范围为+200 C，其最小工作温度范围是-65 C，在200 mA时正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为3.6 V，电压容差为5%，齐纳电流为252 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为100uA。
1N4729A-TAP是DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于252 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如3.6 V，电压齐纳标称Vz设计用于3.6V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.010935 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包，功率最大值为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.1 mm，Ir反向电流为100 uA，阻抗最大Zzt为10 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为100μA@1V，配置为Single。
1N4729ATR是DIODE ZENER 3.6V 1W DO41，包括100μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在10欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计为在DO-204AL、DO-41、轴向、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作1W最大功率。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±5%，该设备具有3.6V的电压齐纳标称Vz。
