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BZX85C100-TR是DIODE ZENER 100V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.3W，电压齐纳标称Vz为100V，阻抗最大Zzt为350欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为101V，电压容差为5%，电压温度系数为0.075%/C，齐纳电流为9.4mA，Zz齐纳阻抗为350欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C10-TR是DIODE ZENER 10V 1.3W DO41，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于105 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如10 V，电压齐纳标称Vz设计用于10V，以及6%的电压容差，该器件也可以用作0.06%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为7 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V，配置为单一。
BZX85C10-TAP是DIODE ZENER 10V 1.3W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@7.5V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如7欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为4.1 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~175℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为1.3W，最大功率为1.3W；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为DO-41，公差为±5%，单位重量为0.010935 oz，电压温度系数为0.06%/C，电压公差为6%；电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V；宽度为2.6mm，齐纳电流为105mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆。
BZX85C10-T是1.3W的齐纳二极管，包括通孔安装型，设计用于单配置，数据表中显示了用于卷筒的封装，提供DO-41等封装外壳功能，电压容差设计为6%，以及500 nA Ir反向电流，该器件也可以用作500 mOhms Zz齐纳阻抗。此外，长度为5.51 mm，装置高度为2.72 mm，装置宽度为2.72毫米，Vz齐纳电压为10 V，Pd功耗为1.3 W，单位重量为0.010935盎司。
