9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C75-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C75-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C75-TAP封装/规格：DIODE ZENER 75V 500MW DO35。您可以下载BZX55C75-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZX55C75-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX55C6V8-TR是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度的安装方式，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@3V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.05%/K，齐纳电流为200mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55C6V8-TAP是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.7毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于6.8 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如6.8V，电压容差设计为工作在6%，以及0.05%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-35供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔；最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为8 Ohm，高度为1.7 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@3V，并且配置为单一。
BZX55C6V8_T50R，带电路图，包括100nA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于在8欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±6%，该设备具有1.3V@100mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.8V。
