9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMSZ5262B-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMSZ5262B-E3-08参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMSZ5262B-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 51V 500MW SOD123。您可以下载MMSZ5262B-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMSZ5261C-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供零件别名功能，如MMZ5261C-V-G-18，单位重量设计为0.000363盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可作为SOD-123封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该装置为表面安装型，该装置具有供应商装置封装的SOD-123，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大Zzt为105 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@36V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为47V，电压容差为2%，电压温度系数为0.095%/C，Zz齐纳阻抗为105欧姆，Ir反向电流为100nA。
MMSZ5261C-HE3-08，带有用户指南，包括105欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于47 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于47V的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.095%/C，以及0.000363盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOD-123，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-13，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为105 Ohm，反向电流Vr为100nA@36V，配置为单一。
MMSZ5261C-HE3-18，带有电路图，包括单组态，设计用于100nA@36V电流反向泄漏Vr，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于105欧姆，提供Ir反向电流功能，如100nA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SOD-123封装盒，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车AEC-Q101，供应商器件封装为SOD-123，公差为±2%，单位重量为0.000363 oz，电压温度系数为0.095%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为47V，Vz齐纳电压为47V、Zz齐纳阻抗为105欧姆。
