9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5230B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5230B-TR价格参考0.25000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5230B-TR封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35。您可以下载1N5230B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5230BTR是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于0.004445盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为19欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@1V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.03%/C，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为19欧姆，Ir反向电流为2uA。
1N5230B-TAP是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括19欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如4.7 V，电压齐纳标称Vz设计用于4.7V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.03%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，装置的单位重量为0.004409盎司，装置的公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为19 Ohm，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@2V，配置为单一。
1N5230B-TP是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计为在5μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如19 Ohm，Ir反向电流设计为5μa，长度为4.2 mm，最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~150℃之间，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW，系列为1N523，供应商设备包为DO-35，公差为±5%，单位重量为0.004833 oz，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压温度系数为0.03%/C，电压公差为20%，电压齐纳标称Vz为4.7V，Vz齐纳电压为4.7V、宽度为2mm，Zz齐纳阻抗为19欧姆。
