9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5226B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5226B-TAP参考价格为0.25000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5226B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35。您可以下载1N5226B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5226B-G是DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35，包括1N5226B系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及单一配置，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供3.3V电压齐纳标称Vz，该器件具有28欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为25μa@1V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N5226B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括3.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为1600欧姆，电流反向泄漏Vr为25μa@1V。
1N5226BTA是二极管ZENER 3.3V 500MW DO35，包括25μA@950mV电流反向泄漏Vr，设计用于在28欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3.3V。
