9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5237B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5237B-TAP价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5237B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35。您可以下载1N5237B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5237B-B是齐纳二极管0.5W 8.2V 5%，包括散装包装，它们设计用于0.004833盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2毫米的高度特征，长度设计为4.2毫米，以及2毫米的宽度，该设备也可以用作DO-35包装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为8.2 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.062%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5237B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括8.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为500欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@6.5V。
1N5237BTA，带电路图，包括3μA@6.2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在8欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为8.2V。
