9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5260B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5260B-TR价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5260B-TR封装/规格：DIODE ZENER 43V 500MW DO35。您可以下载1N5260B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5260B-TAP是DIODE ZENER 3A 43V DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，长度3.9 mm，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为43V，阻抗最大Zzt为93欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@33V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为43V，电压容差为5%，电压温度系数为0.095%/K，齐纳电流为3mA，Zz齐纳阻抗为93欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5260B-TP是DIODE ZENER 43V 500MW DO35，包括93欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于43 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如43V，电压容差设计为在5%范围内工作，以及0.095%/C电压温度系数，该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004833 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包装，系列为1N526，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）替代包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，长度为4.2 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为93 Ohm，高度为2 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@33V，并且配置为单一。
带电路图的1N5260BTA，包括100nA@31V电流反向泄漏Vr，设计用于93 Ohm阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为43V。
