9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的BZX84C10T-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C10T-7-F参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated BZX84C10T-7-F封装/规格：DIODE ZENER 10V 150MW SOT523。您可以下载BZX84C10T-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX84C10S-7-F是二极管ZENER阵列10V SOT363，包括BZX84C10系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000212盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1 mm高度，设备也可以用作2.2 mm长度。此外，宽度为1.35 mm，该设备采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒提供，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为SOT-363，配置为2独立，公差为±6%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为10V，最大阻抗Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为200nA@7V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.9 V，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为6%，电压温度系数为6.25mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为0.2uA。
BZX84C10-T1是10V齐纳二极管，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.3 mm，提供10 V等Vz齐纳电压特性，电压容差设计为6%，以及6.4 mV/K电压温度系数，该装置也可以用作0.007090盎司单位重量。此外，Pd功耗为300 mW，该器件采用卷筒式封装，该器件具有SOT-23封装盒，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+125 C，长度为2.9 mm，Ir反向电流为200 nA，高度为1 mm，配置为单一。
BZX84C10S-7是二极管ZENER阵列10V SOT363，包括两个独立配置，它们设计为在200nA@7V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于20欧姆，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度范围为-65°C~150°C，以及6-TSSOP、SC-88、，SOT-363包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为200mW，该器件采用SOT-363供应商器件包提供，该器件具有±6%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为10V。
