9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4750A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4750A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4750A-TR封装/规格：DIODE ZENER 27V 1.3W DO41。您可以下载1N4750A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4750A-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4750ATR是DIODE ZENER 27V 1W DO41，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于1N4750ATR_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008642盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为2.72 mm，长度5.21 mm，该装置也可以用作2.72mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为27V，阻抗最大值Zzt为35欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@20.6V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为27 V，电压容差为5%，齐纳电流为9.5 mA，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为5 uA。
1N4750A-TAP是DIODE ZENER 27V 1.3W DO41，包括35欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于34 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如27 V，电压齐纳标称Vz设计用于27 V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3 W，包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.1 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为35 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@20.6V，配置为单一。
1N4750A-TP是DIODE ZENER 27V 1W DO41G，包括单一配置，它们设计为在20.6V电流反向泄漏Vr下工作5μa，高度如数据表注释所示，用于2.8 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如35欧姆，Ir反向电流设计为在5μa下工作，长度为4.5 mm，其最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，系列为1N475，供应商设备包为DO-41G，公差为±5%，200 mA时Vf正向电压为1.2 V，200mA时电压正向Vf Max If为1.2V，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为27V，Vz齐纳电压为27 V，宽度为2.8 mm，齐纳电流为34 mA，Zz齐纳阻抗为35欧姆。
