9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4737ATR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4737ATR参考价格0.31000美元。onsemi 1N4737ATR包装/规格：DIODE ZENER 7.5V 1W DO41。您可以下载1N4737ATR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4737ATR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4737A-TP是DIODE ZENER 7.5V 1W DO41G，包括1N473系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.8 mm的高度特征，长度设计为4.5 mm，以及2.8 mm的宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-41G供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大值Zzt为4欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@5V，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，在200mA下正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为7.5 V，电压容差为5%，齐纳电流为121 mA，Zz齐纳阻抗为4欧姆，Ir反向电流为10uA。
1N4737A-TAP是DIODE ZENER 7.51V 1.3W DO41，包括4欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于121 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如7.5 V，电压齐纳标称Vz设计用于7.51V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.010935 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包，功率最大值为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.1 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为4欧姆，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@5V，配置为Single。
1N4737ATA是DIODE ZENER 7.5V 1W DO41，包括10μA@5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在4欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及切割胶带（CT）替代包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为7.5V。
