9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4755A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4755A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4755A-TR封装/规格：DIODE ZENER 43V 1.3W DO41。您可以下载1N4755A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4755A-TP是DIODE ZENER 43V 1W DO41G，包括1N475系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.8 mm的高度特征，长度设计为4.5 mm，以及2.8 mm的宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有DO-41G供应商设备包，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为43V，阻抗最大Zzt为70欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@32.7V，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，Pd功耗为1W，其最大工作温度范围为+200 C，其最小工作温度范围是-65 C，在200 mA时正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为43 V，电压容差为5%，齐纳电流为22 mA，Zz齐纳阻抗为70欧姆，Ir反向电流为5uA。
1N4755A-TAP是DIODE ZENER 43V 1.3W DO41，包括70欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于22 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如43 V，电压齐纳标称Vz设计用于43 V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.010935盎司，设备提供±5%公差，该设备具有DO-41供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3 W，包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.1 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为70欧姆，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@32.7V，配置为单一。
1N4755ATR是DIODE ZENER 43V 1W DO41，包括5μA@32.7V电流反向泄漏Vr，它们设计为在70欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为43V。
