9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C39-TAP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C39-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C39-TAP封装/规格:DIODE ZENER 39V 500MW DO35。您可以下载BZX55C39-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55C39_T50R,带销细节,包括胶带和卷轴(TR)包装,设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~200°C,具有通孔等安装类型特征,供应商设备包装设计用于DO-35,以及±5%公差,设备也可用于500mW最大功率。此外,电压齐纳标称Vz为39V,该器件提供90欧姆阻抗最大Zzt,该器件具有100nA@28V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf最大If为1.3V@100mA。
BZX55C39_T50A带有用户指南,包括39V电压齐纳标称Vz,它们设计为在1.3V@100mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供供应商设备包功能,如DO-35,功率最大值设计为500mW,以及磁带盒(TB)封装,该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,设备为通孔安装型,设备阻抗最大值为90欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@28V。
BZX55C39是DIODE ZENER 39V 500MW DO35,包括100nA@28V电流反向泄漏Vr,设计用于90欧姆阻抗最大Zzt的工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-35,该设备的容差为±5%,该设备具有1.3V@100mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为39V。