9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55C68-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55C68-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55C68-TAP封装/规格：DIODE ZENER 68V 500MW DO35。您可以下载BZX55C68-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55C62-TR是DIODE ZENER 62V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，提供安装方式特征，如通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为62V，阻抗最大Zzt为150欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@47V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为62V，电压容差为6%，电压温度系数为0.08%/K，Zz齐纳阻抗为150欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55C5V6-TR是DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35，包括25欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于5.6 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如5.6V，电压容差设计工作在5%，以及0.05%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-35供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔；最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为25 Ohm，高度为1.7 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@1V，并且配置为单一。
BZX55C62-TAP是DIODE ZENER 62V 500MW DO35，包括单一配置，设计用于100nA@47V电流反向泄漏Vr，高度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供阻抗最大Zzt特性，例如150欧姆，Ir反向电流设计用于100 nA，以及3.9 mm长度，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为DO-35，公差为±5%，单位重量为0.004833 oz；电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为0.08%/K，电压容限为6%，电压齐纳标称Vz为62V，Vz齐纳电压为62V，宽度为1.7mm，Zz齐纳阻抗为150欧姆。
