9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N5231CTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5231CTR价格参考值0.22000美元。onsemi 1N5231CTR包装/规格：DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35。您可以下载1N5231CTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5231CTR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5231C是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35，包括散装替代包装包装，它们设计用于0.004445盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-35，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为5.1V，阻抗最大Zzt为17欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@2V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为5.1 V，电压容差为2%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为17欧姆，Ir反向电流为5 uA。
1N5231C-TAP是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35，包括5.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±2%，提供供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为17欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@2V。
1N5231BUR-1是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA，包括5μA@2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在17欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C ~ 175°C，包装箱设计为在DO-213AA以及散装包装中工作，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AA，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为5.1V。
